一·真空熔炼炉 双管区熔提纯炉 设备用途:
提纯金属、半导体、有机和无机的化学材料;
区熔致匀(使一种欲掺入的杂质十分均匀地分布在整个单晶体中)
焊接和测量液体中的扩散率等。
二·真空熔炼炉 双管区熔提纯炉 优点:
1·区熔加热炉采用往复区熔的方式,闭环温度控制,可靠的控制熔区的宽度问题;生长室的设计成功解 决生长室的污染问题,
2·将加热及保温材料均设置在生长腔室外部,采用高纯石英作为腔室,同时抽真空;将流动高纯氢气通 入腔室,去除腔室中的微量氧,解决氧化的问题;
3·开发高柔性的控制软件,采用触摸屏进行操作,任意设置区熔的温度,区熔的速度及次数。
三·主要技术参数
最高加热温度: 1200℃ 使用温度:500-1100℃
设备功率: ≤35Kw±10% 三相380v 50Hz(三相五线制)
感应电源功率: 20Kw±10% 三相380v 50Hz(三相五线制)频率≥400kHz。
红外加热功率: 2kw*2(暂定)
冷态极限真空度: ≤5×10-4Pa
石墨舟尺寸: Ф70*200mm(外径*长度,半圆柱)
石英管(腔室)尺寸: ¢90*1500(根据实际情况做调整)
加热方式: 高频感应加热
9·区熔行程及速度: 位移行程 ≦1200mm
慢速:0.1-10mm/h(伺服控制)精度0.01mm
快速:200mm/min(伺服控制)(空走或者后退)
10.炉内充气压力: ≤0.03MPa(氩气)
11·充气系统: 自动充放气
12.区熔温区: 2温区
13.石英管法兰连接方式:真空水冷密封法兰形式,留KF25真空接口,法兰材质304不锈钢
14.控制方式:触摸屏+plc